Per Samsung la ricerca nel settore delle memorie di massa continua. Giusto ieri il colosso sudcoreano ha annunciato di aver sviluppato un nuovo tipo di blocco di memoria flash di tipo UFS 2.0 con capacità pari a 128GB. La produzione di massa di questo nuovo prodotto – ideato appositamente per dispositivi handheld come gli smartphone – pare sia già partita.
Le memorie Universal Flash Storage sono ultra veloci, in particolar modo quelle di tipo 2.0, in quanto usano la tecnologia denominata “Command Queue” (già presente nelle memorie allo stato solido SSD) per accelerare l’esecuzione dei comandi impartiti dal processore centrale.

Memorie Flash USF 2.0 by Samsung
Memorie Flash USF 2.0 by Samsung

Ciò significa che durante la lettura ad accesso casuale questi nuovi chip di silicio sono in grado di effettuare sino a 19.000 IOPS (operazioni di input/output al secondo). Se si andasse a paragonare le perfomance di questa nuova soluzione con quelle delle memorie di tipo eMMC 5.0 (che troviamo negli smartphone di prima fascia attualmente in commercio), si noterebbe un miglioramento delle prestazioni del 135 per cento circa. Per le operazioni di scrittura, invece, si riesce a raggiungere la cifra di 14.000 IOPS, il che significa un miglioramento di ben 28 volte rispetto alla tecnologia precedente.

A questo si aggiunga anche il ridotto dispendio energetico: questa nuova memoria flash riesce a dimezzare la quantità di energia che le è necessaria per funzionare.

Disponibili anche nei tagli da 32 e 64GB – oltre che 128 – le nuove UFS 2.0 di Samsung presto diventeranno lo standard per le memorie presenti negli smartphone di fascia alta. Ad oggi però non è ancora possibile fare dei nomi, ossia non sappiamo quali saranno i primi modelli di cellulare ad essere equipaggiati con questa soluzione tecnologica avanzata. Il Samsung Galaxy S6 sarebbe comunque da escludere, visto che sarà presentato domenica prossima (1 marzo) a Barcellona.