L'iPhone monterà memorie 3D. Non stiamo parlando, però, della prossima versione dello smartphone di casa Apple – sia essa iPhone 6S o iPhone 6 Plus – ma della successiva, ossia dell'iPhone 7.

A fornire ad Apple questo nuovo tipo di componente hardware saranno, come sempre, Toshiba e SanDisk: le due società che già si occupano di produrre memorie per l'iPhone 6.
Proprio questa settimana i due produttori hanno presentato al mondo un modello di memoria del tutto nuovo che, se installato in uno smartphone, potrebbe garantirgli prestazioni decisamente superiori rispetto a quelle dei cellulari attualmente in circolazione.
La nuova memoria NAND Flash di Toshiba e San disk – che ha un taglio da 256Gigabit (32GB) – è la prima al mondo in tridimensionale fatta con tecnologia BiCS a 48 layer, tecnologia a 3 bit per cella (TLC) e processo produttivo a 15 nanometri, il che le conferisce il doppio della capacità e della densità dei moduli di memoria attualmente presenti nel mercato dell’elettronica di consumo.

Toshiba 3D NAND Flash Memory
Memoria Flash 3D NAND by Toshiba

Concepita per essere inclusa in hard disk allo stato solido, pendrive, memory card e vari dispositivi portatili (smartphone, tablet e phablet), la memoria 3D di tipo BiCS permette un sistema più affidabile per la scrittura e la cancellazione dei dati, se paragonato a quello delle tradizionali memorie flash a due dimensioni, e quindi anche tempi più rapidi per lo stoccaggio di dati. Questo si traduce – in termini più semplici – in un netto miglioramento delle prestazioni per l’apparecchio che la monta.
Ovviamente Apple non è l'unica azienda che potrebbe trarre beneficio da questo nuovo modello di memoria flash, ma probabilmente il fatto di servirsi già di Toshiba e SanDisk per questo tipo di componentistica, potrebbe permettere a Cupertino di essere tra le prime a sfruttare questa nuova tecnologia per i suoi device.

La nuova memoria tridimensionale di Toshiba e SanDisk, comunque, è appena stata presentata; sarà prodotta nel Fab2 di Yokkaichi Operations, l’impianto produttivo dove Toshiba intende realizzare le memorie NAND – che sarà completato nella prima metà del 2016. I primi campioni saranno distribuiti nelle prossime settimane, dunque è praticamente impossibile sperare di vederla sull’iPhone 6S, un apparecchio che dovrebbe vedere la luce già tra qualche settimana.
Come dicevamo, però, è alquanto probabile che la tecnologia sarà inclusa in apparecchi che arriveranno sul mercato nel 2016 e tra questi ci potrebbe essere tranquillamente l’iPhone 7.