Dopo l’ottimo successo riscontrato da Snapdragon 820, il chipmaker americano Qualcomm pensa già al suo successore. Proprio in queste ore sono emerse interessanti indiscrezioni relative a Snapdragon 823, Snapdragon 828 e Snapdragon830, tre nuovi SoC che dovrebbero essere rilasciati nel corso del 2016.
Snapdragon 823 dovrebbe essere rilasciato nel corso del secondo trimestre del 2016. Per il nuovo SoC Qualcomm dovrebbe continuare ad utilizzare il processo produttivo LPP a 14 nanometri.
Sarà caratterizzato da quattro core Kryo 100 con frequenze di clock differenti. Al suo fianco, sarà presente ancora una volta il processore grafico Adreno 530 e un modem X12 LTE Cat. 12/13 con velocità di download fino a 600Mbps e tecnologia Quick Charge 3.0. Il SoC verrà adottato dai dispositivi di fascia alta che arriveranno in commercio entro fine anno. Uno dei primi ad utilizzare Snapdragon 823 potrebbe essere il nuovo Samsung Galaxy Note 6.
Qualcomm Snapdragon 823, 828, 830
Snapdragon 828 verrà realizzato con processo produttivo FinFET a 10 nanometri e sarà caratterizzato da core Kryo 200 (non è ancora chiaro se continuerà ad utilizzare la configurazione quad-core). Sarà presente una GPU Adreno 519, modem X12 LTE Cat. 12/13, con supporto per la registrazione 4K x 2K a 60 fps e compatibile con memorie LPDDR4X. Snapdragon 828 verrà annunciato nel corso del quarto trimestre dell’anno.
Snapdragon 830 sarà il vero flagship del produttore americano. Realizzato con processo produttivo FinFET a 10 nanometri, integrerà core Kryo 200 e processore grafico Adreno 540.
Il SoC sarà dotato di modem X16 LTE, con velocità di download fino a 980Mbps, sarà in grado di registrare video 4K x 2K a 60 fps e supportare memorie LPDDR4X. Anche Snapdragon 830 verrà ufficializzato nel quarto trimestre del 2016, pronto per i top di gamma del 2017.
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