Intel ha annunciato di aver messo
a punto una nuova tecnologia, che permette di incrementare enormemente la memoria
dei terminali mobili, a bassi costi.
Attualmente, questi terminali,
tipicamente di tipo palmare, hanno dai 2 ai 64 Mb di flash memory. Nell’idea
di Intel, la prossima generazione dei terminali mobili, dovrà unire una notevole
capacità di memoria ad un’alta funzionalità, oltre all’abilità di coniugare
differenti tipi di memorie interne. Per arrivare a ciò, Intel, ha sviluppato
tre differenti tipi di memorie: la PFRAM (Polimer Ferroelettric RAM), che utilizza
un materiale plastico, la OUM (Ovonics Unified Memory), che utilizza un materiale
simile a quello dei CD riscrivibili, e la MRAM (Magnetic RAM).
Visto che la nuova generazione
di terminali mobili supporterà diversi servizi multimediali, che avranno bisogno
di una quantità di memoria sempre maggiore per poter funzionare correttamente,
ecco che sviluppare differenti tipi di memoria, diventa basilare. Lo studio
e lo sviluppo di nuove memorie per terminali mobili, sebbene parti di un mercato
che non sta attraversando un momento felice, daranno anche le basi per il futuro
sviluppo di memorie per computer.
Secondo i portavoce di Intel, la
ricerca di un nuovo tipo di memoria per terminali mobili è vista come un obiettivo
fondamentale da tutte le aziende del settore, prerequisito essenziale per lo
sviluppo dei nuovi servizi multimediali e quindi del successo dei futuri sistemi
3G. Nello specifico, Intel sta cercando di sviluppare un nuovo tipo di memoria,
che unisca tutti i punti positivi dei differenti tipi di memorie per terminali
mobili, attualmente in commercio. Uno dei punti chiave è il costo della nuova
memoria. Le attuali memorie flash sono troppo care. Bisogna assolutamente tagliare
i costi.
Dei tre progetti di memorie sopra
citati, quello più vicino alla realizzazione è la OUM, visto anche l’utilizzo
di una tecnologia base già rodata. Intel non pone limiti allo sviluppo del nuovo
dispositivo di memoria, ma realisticamente se ne potrebbe preannunciare un suo
lancio sul mercato per il 2003. I costi saranno certamente minori delle flash
memory, ovviamente una volta che la produzione e le vendite siano entrati a
pieno regime.
Anche la PFRAM, però, ha buone
possibilità di essere adottata, sebbene sia possibile riscriverla solo un finito
numero di volte. Intel sta svolgendo tre separate ricerche sui differenti tipi
di memorie. Finora nessuna notizia, su una possibile data di sviluppo definitivo,
di nessuna delle tre tecnologie, è stata annunciata. Proprio la OUM, certamente
il progetto più avanzato, è stata anche pensata come memoria da implementare
direttamente sulla scheda del terminale, non solo come espansione di memoria
aggiuntiva.
La MRAM, d’altro canto, è quella
con le prestazioni, sia a livello di velocità che a livello che compressione
dati, migliori, ma anche quella più costosa. Una singola unità di MRAM, potrebbe
costare fino a tre-quattro volte una medesima quantità di OUM. È pensabile che
la MRAM venga comunque sviluppata ed utilizzata per terminali di fascia alta
e business. Proprio riguardo ai costi, anche la PFRAM, che proviene direttamente
dall’attuale RAM utilizzata per tutti i PC, sarà alquanto economica. Vi è però
una seria limitazione all’utilizzo della PFRAM, visto che può essere riscritta
solo poche volte, certo meglio dell’attuale ROM, ma poco adatta ad essere il
solo tipo di memoria utilizzato nei terminali futuri.
Intel dice che vi sono punti di
forza in tutti e tre i tipi di memoria, quindi i relativi progetti saranno portati
avanti con il medesimo sforzo. Se in futuro si vedrà che, per un qualsiasi motivo,
qualcuno dei progetti non fosse più fattibile, allora tutti le risorse verrebbero
concentrate sugli altri. In questo momento nessuno può dire con certezza cosa
accadrà.
